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國家新型平板顯示和寬帶設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項申報啟動

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2014-05-09
核心提示:為推動我國新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,落實“寬帶中國”戰(zhàn)略,國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡(luò)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項。

 

發(fā)改辦高技[2014]893號

各省、自治區(qū)、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化主管部門,有關(guān)中央管理企業(yè):

為推動我國新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,落實“寬帶中國”戰(zhàn)略,國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡(luò)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項?,F(xiàn)將有關(guān)事項通知如下:

一、專項支持重點

(一)新型平板顯示領(lǐng)域

1、高世代(6代及以上)薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD)用高性能混合液晶材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:驅(qū)動電壓≤7V,響應(yīng)時間≤15ms,電阻率≥1×1013Ω?cm,單體純度>99.90%,粘度<20mPa?s;申報單位已實現(xiàn)年銷售量大于1噸。

2、有源有機發(fā)光顯示(AMOLED)用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:尺寸≥650mm×750mm,最小開口尺寸25μm,開口精度≤±3μm,開口間距≤50μm,定位精度≤±5μm;申報單位已實現(xiàn)年銷售量大于80套。

3、AMOLED用高性能、長壽命有機藍色電致發(fā)光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:達產(chǎn)后形成年產(chǎn)發(fā)光材料25公斤、其他材料500公斤的生產(chǎn)能力,其中:藍光材料色度坐標達到CIE(0.14±0.01,0.07±0.01),1000cd/m2亮度下,效率>6cd/A;空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs;電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時間法測試,遷移率>5.0×10-3cm2/Vs;玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg≥130℃;驅(qū)動電壓低于4V情況下,對應(yīng)器件特性指標LT95壽命要求紅、綠(>5000cd/m2)≥3000小時,藍(>500cd/m2)≥1000小時;實驗片發(fā)光區(qū)面積3mm×3mm。

4、高分辨率面板驅(qū)動IC研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:支持高分辨率(4K×2K)及以上電視面板、300PPI(每英寸像素數(shù)目)及以上手機面板,并可根據(jù)面板廠商要求提供不同接口技術(shù)。

5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料,成膜非均勻度≤±3%,基板處理能力≥20片/小時。

6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:靶材利用率>75%,薄膜非均勻性<5%,可制備ITO(氧化銦錫)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、鋁、鉬等薄膜材料。

7、AMOLED蒸鍍設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

要求:最大可鍍膜基板尺寸650mm×750mm,OLED(發(fā)光顯示)材料利用率≥25%,OLED鍍膜均勻度≤±3%,對位精度2μm,生產(chǎn)節(jié)拍120秒。

(二)寬帶網(wǎng)絡(luò)設(shè)備領(lǐng)域

1、新一代光纖寬帶接入核心設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:支持GPON/XG-PON(吉比特/10吉比特無源光纖網(wǎng)絡(luò))共存,單板不少于4個40Gbps接口的PON系統(tǒng),ONU(光網(wǎng)絡(luò)單元)支持無色特性。

2、超高速波分復(fù)用傳輸系統(tǒng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:400Gbps高速波分復(fù)用傳輸設(shè)備,無電中繼傳輸距離不小于800公里,單光纖速率不低于16Tbps。

3、分組光傳送網(wǎng)設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:基于統(tǒng)一信元交換的POTN(分組光傳送網(wǎng))設(shè)備,單槽位接入容量不小于200Gbps,整機交換容量不低于6.4Tbps,支持多類型業(yè)務(wù),交換容量動態(tài)分配,高精度時鐘和頻率同步傳送。

4、高端核心路由器研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:單板卡單向轉(zhuǎn)發(fā)性能不低于400Gbps,單機框轉(zhuǎn)發(fā)性能不低于12.8Tbps,支持業(yè)務(wù)框數(shù)量不低于4個的集群形態(tài)。

5、高端數(shù)據(jù)交換設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:單板卡單向轉(zhuǎn)發(fā)性能不低于1Tbps,整機雙向交換容量不低于20Tbps。

6、運營商級IPv4/IPv6網(wǎng)絡(luò)地址翻譯設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求:支持IPv4/IPv6雙協(xié)議棧,CGN(運營商級網(wǎng)絡(luò)地址翻譯)業(yè)務(wù)板卡速率不低于200Gbps,整機支持翻譯會話數(shù)不低于1000萬。

二、申報要求

(一)項目主管部門應(yīng)根據(jù)《中央預(yù)算內(nèi)投資補助和貼息項目管理辦法》的有關(guān)規(guī)定,按照專項支持重點要求,結(jié)合本單位、本地區(qū)實際情況,認真做好項目組織和備案工作,指導項目建設(shè)單位編寫項目資金申請報告,并協(xié)調(diào)落實項目建設(shè)資金、節(jié)能、環(huán)保、土地、規(guī)劃等相關(guān)建設(shè)條件。項目主管部門應(yīng)對資金申請報告及相關(guān)附件進行認真核實,并負責對其真實性予以確認。

(二)項目建設(shè)單位應(yīng)為企業(yè)法人,一個單位限報一個項目。項目建設(shè)單位應(yīng)實事求是制定建設(shè)方案,嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規(guī)模。項目資金申請報告的具體編寫要求及所需附件內(nèi)容參見附件1。

(三)申報新型平板顯示領(lǐng)域的材料廠商需提供與面板企業(yè)簽署的合作協(xié)議;設(shè)備廠商需提供與面板企業(yè)簽署的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。其中,申報濺射設(shè)備的廠商需提供與配套靶材企業(yè)簽署的合作協(xié)議。

(四)申報寬帶網(wǎng)絡(luò)設(shè)備領(lǐng)域的單位,應(yīng)結(jié)合自身基礎(chǔ)條件,在支持重點方向中自行選擇兩類以上設(shè)備申報。

(五)請各項目主管部門于2014年5月16日前,將項目資金申請報告和有關(guān)附件、項目簡介(不超過3000字)、匯總表(見附件2)等紙質(zhì)文件一式2份及電子版,分別報送國家發(fā)展改革委(高技術(shù)司)、工業(yè)和信息化部(規(guī)劃司)。

附件:1、項目資金申請報告編制要點

2、項目匯總表

國家發(fā)展改革委辦公廳

工業(yè)和信息化部辦公廳

2014年4月25日
 

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