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電子元器件行業(yè):國家存儲(chǔ)器項(xiàng)目啟動(dòng)

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2017-01-09??來源:中國機(jī)電產(chǎn)品交易網(wǎng)
核心提示:近期,紫光集團(tuán)官網(wǎng)發(fā)布:由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(以下簡(jiǎn)稱“項(xiàng)目”),在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)。
       近期,紫光集團(tuán)官網(wǎng)發(fā)布:由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(以下簡(jiǎn)稱“項(xiàng)目”),在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)。該項(xiàng)目總投資240億美元,主要生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片,總占地面積1968畝,將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個(gè)項(xiàng)目,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

       存儲(chǔ)芯片是集成電路的三大品類之一,廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域,其銷售額占據(jù)整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%,其技術(shù)能充分反映一個(gè)國家或地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展水平。根據(jù)賽迪顧問的數(shù)據(jù),2014年中國存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2465.5億元,占國內(nèi)集成電路市場(chǎng)份額的23.7%。國內(nèi)存儲(chǔ)芯片幾乎100%來自進(jìn)口,每年進(jìn)口存儲(chǔ)芯片的金額高達(dá)600億美元。根據(jù)Trendforce的數(shù)據(jù),2016年Q3三星電子在全球DRAM存儲(chǔ)器領(lǐng)域的份額高達(dá)50.2%,SK海力士占24.8%的份額;三星電子在全球NAND FLASH領(lǐng)域的市場(chǎng)份額為36.6%,SK海力士占10.4%的份額。
 
       項(xiàng)目將以存儲(chǔ)芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,形成涵蓋存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、技術(shù)研發(fā)等全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM模式,為國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)提供有效支撐。我們認(rèn)為,項(xiàng)目的啟動(dòng)將實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片從0到1的突破,填補(bǔ)國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的空白,表明國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域落地,將有效保障國家信息安全。
 
       從日、韓半導(dǎo)體發(fā)展歷程上看,日本政府在1976~1979年組織了5家最大的半導(dǎo)體制造商形成集成電路研究團(tuán)隊(duì),并投入大量資金和人力,于1980年研制出64KDRAM存儲(chǔ)器(比美國早半年)和256KDRAM存儲(chǔ)器(比美國早2年);20世紀(jì)80年代末的韓國政府以存儲(chǔ)器作為突破口,形成“官民一體”的DRAM存儲(chǔ)器研發(fā)小組,投入大量資源突破存儲(chǔ)器技術(shù),1994年三星電子在全球率先推出256M DRAM,隨后韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)便超越日本成為世界第一。
 
       目瞄準(zhǔn)存儲(chǔ)器新興領(lǐng)域中的3D NAND Flash,通過與飛索半導(dǎo)體合作、集中資源進(jìn)行先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)攻關(guān),將有望加速突破技術(shù)瓶頸。3D NAND FLASH作為一種新興的存儲(chǔ)器技術(shù),其演進(jìn)邏輯是依靠三維芯片堆疊而不僅是工藝制程縮小,相比2D NAND FLASH擁有體積更小、容量更大、成本更低等優(yōu)勢(shì)。我們認(rèn)為,項(xiàng)目以3D NAND Flash存儲(chǔ)器作為突破口,起點(diǎn)高、投資力度大,在國家的大力支持下,有望突破存儲(chǔ)器相關(guān)的技術(shù)瓶頸并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
 
       項(xiàng)目的建設(shè)將帶動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
 
       半導(dǎo)體設(shè)備和材料需求主要由新增半導(dǎo)體晶圓廠建設(shè)拉動(dòng)??涛g機(jī)、PVD、CVD等半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)部分國產(chǎn)化,電子電鍍液、電子清洗液等材料已開始供應(yīng)國內(nèi)半導(dǎo)體主要制造廠商。我們認(rèn)為,項(xiàng)目的建設(shè)將推動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
   
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